Pat
J-GLOBAL ID：200903054481735546

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Inventor：
松本 直樹

About 松本 直樹

, 
輿水 地塩

About 輿水 地塩

, 
岩田 学

About 岩田 学

, 
田中 諭志

About 田中 諭志


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 佐々木 聖孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006092939
Publication number (International publication number)：2007266534
Application date： Mar. 30, 2006
Publication date： Oct. 11, 2007
Summary：
【課題】カソードカップル方式においてアノード側の電極にデポ膜が付いて後工程のプロセスに影響するのを極力防止しつつプロセスの均一性を可及的に向上させる。【解決手段】下部電極のサセプタ16には被処理基板Wが載置され、高周波電源30よりプラズマ生成用の高周波が印加される。サセプタ16の上方にこれと平行に対向して配置される上部電極34は、チャンバ10にリング状の絶縁体35を介して電気的に浮いた状態で取り付けられている。上部電極34の上面とチャンバ10の天井との間の空間50に容量可変の可変コンデンサ86が設けられている。プロセス条件に応じて、容量制御部85により可変コンデンサ86の容量を可変し、上部電極34の接地容量を切り替える。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
真空可能な接地された処理容器内で第1の電極と第2の電極とを所定の間隔を空けて平行に配置し、前記第1の電極に対向させて被処理基板を第2の電極で支持し、前記処理容器内を所定の圧力に真空排気し、前記第1の電極と前記第2の電極と前記処理容器の側壁との間の処理空間に所望の処理ガスを供給するとともに前記第2の電極に第1の高周波を印加し、前記処理空間に生成されるプラズマの下で前記基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、 前記第1の電極を前記処理容器に絶縁体または空間を介して取り付けるとともに静電容量可変の静電容量可変部を介して接地電位に電気的に接続し、前記基板に施すプラズマプロセスのプロセス条件に応じて前記静電容量可変部の静電容量を切り替えるプラズマ処理方法。
IPC (2)：
H01L 21/306 ,  C23C 16/505
FI (2)：
H01L21/302 101D ,  C23C16/505
F-Term (18)：
4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030JA18 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB32 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA25 ,  5F004DB24 ,  5F004EA13 ,  5F004EA23 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-092524   Applicant：東京エレクトロン株式会社
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM