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J-GLOBAL ID：200903070054574260

プラズマ処理装置

Inventor：
輿水 地塩

About 輿水 地塩

, 
山澤 陽平

About 山澤 陽平


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001144938
Publication number (International publication number)：2002343768
Application date： May. 15, 2001
Publication date： Nov. 29, 2002
Summary：
【要約】【課題】 プラズマ処理の目的に応じた好ましいプラズマ分布を実現する。【解決手段】 サセプタ21と接地との間に接続されインピーダンスが変更自在な第1のフィルタ27と、処理室11内で生成されたプラズマPの状態に基づく電気信号を検出するセンサ28と、このセンサ28から出力される検出結果により第1のフィルタ27のインピーダンスを制御する制御手段36とを備える。
Claim (excerpt)：
気密な処理室内に配置され被処理体を置く載置面を有するサセプタと、このサセプタの載置面の対向位置に交流電界を発生させてプラズマを励起させる電界発生手段とを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタと接地との間に接続され回路特性が変更自在な第1のフィルタと、前記プラズマの状態を検出するセンサと、このセンサから出力される検出結果により前記第1のフィルタの回路特性を制御する制御手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (7)：
H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/00 ,  H05H 1/46
FI (8)：
B01J 19/08 H ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/00 A ,  H05H 1/46 M ,  H05H 1/46 R ,  H01L 21/302 B
F-Term (42)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA61 ,  4G075BC04 ,  4G075BC05 ,  4G075BC06 ,  4G075CA14 ,  4G075DA01 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  4G075FB02 ,  4K030BA42 ,  4K030FA03 ,  4K030HA07 ,  4K030HA16 ,  4K030KA12 ,  4K030KA30 ,  4K030KA32 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  5F004AA06 ,  5F004AA14 ,  5F004BA00 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BB32 ,  5F004BD04 ,  5F004CA06 ,  5F045AA08 ,  5F045BB15 ,  5F045BB16 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH13 ,  5F045EH20 ,  5F045GB08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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