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J-GLOBAL ID：200903021058226656

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor：
岩田 学

About 岩田 学

, 
輿水 地塩

About 輿水 地塩

, 
山澤 陽平

About 山澤 陽平


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (3)： 金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  萩原 康司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005219984
Publication number (International publication number)：2006066905
Application date： Jul. 29, 2005
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：
【課題】 ウェハ面内におけるエッチング処理の均一性を向上する。【解決手段】 プラズマ生成用の高周波電力が供給される下部電極3に対向する上部電極4に対し,電気特性調整部20を設ける。電気特性調整部20は,下部電極3に供給される高周波電力の周波数に対する,プラズマP側から見た上部電極4側の回路におけるインピーダンスを当該回路が共振しないように調整できる。エッチング処理時に,前記インピーダンスを共振点から外れるように調整することによって,エッチング処理の面内均一性が向上する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
プラズマを用いて基板を処理するプラズマ処理装置であって, 基板を収容して処理する処理容器と, 前記処理容器内において基板を載置する下部電極と, 前記処理容器内において前記下部電極に対向するように配置された上部電極と, 少なくとも前記下部電極又は上部電極のいずれかに高周波電力を供給し,前記下部電極と前記上部電極との間にプラズマを生成する高周波電源と, 前記処理容器内に存在する少なくとも一つの高周波の周波数に対する,前記プラズマから見た電極側の回路のインピーダンスを,前記回路が共振しないように調整する電気特性調整部と,を備えたことを特徴とする,プラズマ処理装置。
IPC (4)：
H01L 21/306 ,  C23C 16/505 ,  H05H 1/00 ,  H05H 1/46
FI (4)：
H01L21/302 101B ,  C23C16/505 ,  H05H1/00 A ,  H05H1/46 M
F-Term (13)：
4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA07 ,  5F004BB11 ,  5F004BB28 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004CA08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-101394   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
Cited by examiner (5)
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