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J-GLOBAL ID：200903054582387816

レジスト用剥離液組成物

Inventor： 田辺 将人 ,  脇屋 和正 ,  小林 政一 ,  中山 寿昌
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 服部 平八
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996179872
Publication number (International publication number)：1997197681
Application date： Jun. 21, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】変質したレジスト膜であっても低温(室温)で短時間に剥離できるとともに、腐食され易い基板や周辺装置を腐食することがなく、しかも中性で安全な上に排気処理や廃液処理が容易にできるレジスト用剥離液組成物を提供すること。【解決手段】(a)フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩、(b)水溶性有機溶媒及び(c)水を含有し、さらに必要に応じて防食剤を含有し、水素イオン濃度(pH)が5〜8であるレジスト用剥離液組成物。

Claim (excerpt)：

(a)フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩、(b)水溶性有機溶媒及び(c)水を含有し、かつ水素イオン濃度(pH)が5〜8の範囲にあることを特徴とするレジスト用剥離液組成物。

IPC (7)：

G03F 7/42 ,  C11D 7/10 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/50 ,  C11D 17/08 ,  H01L 21/027

FI (7)：

G03F 7/42 ,  C11D 7/10 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/50 ,  C11D 17/08 ,  H01L 21/30 572 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-082518   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社, シャープ株式会社
• 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-000520   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 半導体装置用洗浄剤及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-220341   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社