フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：佐伯健兒 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994082518
Publication number (International publication number)：1995271056
Application date： Mar. 28, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】ドライエッチング工程の際に形成された側壁保護膜をアルミミウム系配線体から剥離する。【構成】 (a)有機カルボン酸アンモニウム塩又は有機カルボン酸アミン塩を5〜50重量%、及び(b)フッ素化合物を0.5〜15重量%を含有する水溶液からなることを特徴とするフォトレジスト用剥離液及びこれを使用する配線パターンの形成方法。【効果】配線体を腐食することなく、側壁保護膜及びレジスト残査が完全に除去される。

Claim (excerpt)：

(a)一般式〔R1〕m〔COONHp(R2)q〕n(式中、R1は炭素数1〜18のアルキル基又はアリール基;R2は炭素数1〜4のアルキル基;m、nは1〜4の整数、pは1〜4の整数、qは0〜3の整数を表し、p+q=4である)で表される有機カルボン酸アンモニウム塩又は有機カルボン酸アミン塩を5〜50重量%、及び(b)フッ素化合物を0.5〜15重量%を含有する水溶液からなることを特徴とするフォトレジスト用剥離液。

IPC (4)：

G03F 7/42 , H01L 21/027 , H01L 21/3065 , H01L 21/3213

FI (3)：

H01L 21/30 572 B , H01L 21/302 F , H01L 21/88 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-113456
ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-105186 Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 関東化学株式会社
電子デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-077503 Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー

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