半導体装置用洗浄剤及び半導体装置の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995220341
Publication number (International publication number)：1997062013
Application date： Aug. 29, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】ドライエッチングにより形成される側壁保護堆積膜を容易に除去でき、配線素材となる各種の金属素材からなる導電層を腐食せず、エッチングによるコロージョンも発生しないような半導体装置洗浄剤、及び高精度の回路配線を製造する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】フッ素化合物およびベタイン化合物と、アミド類、ラクトン類、アルコール類から選ばれた一種以上の有機溶剤を含む半導体装置用洗浄剤および、ドライエッチングにより配線構造を形成する際、導電層及びフォトレジストの側壁部に発生する保護堆積膜を、該半導体装置用洗浄剤を用いて剥離する半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

フッ素化合物を0.1〜20重量%、ベタイン化合物1〜50重量%、残部が水であることを特徴とする半導体装置用洗浄剤。

IPC (5)：

G03F 7/42 , C11D 1/90 , C11D 3/04 , H01L 21/027 , H01L 21/308

FI (5)：

G03F 7/42 , C11D 1/90 , C11D 3/04 , H01L 21/308 G , H01L 21/30 572 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

レジスト用剥離液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-220410 Applicant：関東化学株式会社
ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-105186 Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 関東化学株式会社
シリコンウェーハ洗浄液及び該洗浄液を用いたシリコンウェーハの洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-312604 Applicant：株式会社ピュアレックス, 株式会社東芝

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