Pat

J-GLOBAL ID：200903054584332830

フラーレン誘導体の混合物、および電子デバイスにおけるその使用

Inventor： クロンホルム,デイヴィッド エフ ,  フンメレン,ヤン セー ,  シーファル,アレクサンデル ベー ,  ファント ホフ,パトリック
Applicant, Patent owner： ソレンネ ベーヴェー
Agent (2)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009518643
Publication number (International publication number)：2009542725
Application date： Jul. 06, 2007
Publication date： Dec. 03, 2009
Summary：

有機半導体に有用である混合フラーレン誘導体の組成物、およびそのような組成物を製造および使用する方法について開示する。一部の実施形態では、本発明は、一つ以上のさらなるフラーレン系成分を規定の範囲内でさらに含む、混合フラーレン誘導体の組成物に関する。一部の別の実施形態では、本発明は、混合フラーレン出発物質から特定の組成の混合フラーレン誘導体を、または混合フラーレン誘導体から特定の組成の純粋なフラーレン誘導体を、製造する方法に関する。さらに別の実施形態では、本発明は本発明の組成物を含む半導体およびデバイスに関する。

Claim (excerpt)：

メタノフラーレン誘導体、PCBM誘導体、ThCBM誘導体、プラトー誘導体、ビンゲル誘導体、ジアゾリン誘導体、アザフレロイド誘導体、ケトラクタム誘導体、およびディールス・アルダー誘導体から成る群より選択されるC60誘導体、および メタノフラーレン誘導体、PCBM誘導体、ThCBM誘導体、プラトー誘導体、ビンゲル誘導体、ジアゾリン誘導体、アザフレロイド誘導体、ケトラクタム誘導体、およびディールス・アルダー誘導体から成る群より選択されるC70誘導体であって、 C60誘導体およびC70誘導体が共に同一種類の誘導体の一員である、C60誘導体およびC70誘導体と、 約0%から約50%の累計範囲にある、C60およびC70と、 約0%から約50%の累計範囲にある、一つ以上のC60ビス付加誘導体、一つ以上のC60トリス付加誘導体、一つ以上のC70ビス付加誘導体、および一つ以上のC70トリス付加誘導体と、 約0%から約3%の累計範囲にある、一つ以上のC70より大きいフラーレンおよび一つ以上のC70より大きいフラーレンの誘導体と、 約0%から約5%の累計範囲にある、一つ以上のC60の酸化物、一つ以上のC70の酸化物、一つ以上のC60誘導体の酸化物、および一つ以上のC70誘導体の酸化物と、 約0%から約5%の累計範囲にある、一つ以上のC60の二量体、一つ以上のC70の二量体、一つ以上のC60誘導体の二量体、および一つ以上のC70誘導体の二量体と、 を含む組成物。

IPC (7)：

C07C 69/753 ,  C07C 67/56 ,  C07D 209/70 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 51/42

FI (7)：

C07C69/753 Z ,  C07C67/56 ,  C07D209/70 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 310E ,  H01L31/04 D

F-Term (17)：

4C204BB09 ,  4C204CB17 ,  4C204DB07 ,  4C204EB02 ,  4C204FB01 ,  4C204GB01 ,  4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AA03 ,  4H006AB91 ,  4H006AD17 ,  4H006BJ30 ,  5F051AA11 ,  5F051CB13 ,  5F051DA03 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (17)

• 新規フラーレン誘導体およびその合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-356356   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• ラジカル・スカベンジャーとして有用な高フラーレン
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-544135   Applicant：ナノ-シー,インク.
• 高効率フラーレン基材ラジカル・スカベンジャー
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-544136   Applicant：ナノ-シー,インク.
• フラ-レン誘導体及びその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-041020   Applicant：住友化学工業株式会社
• アザフラーレン誘導体、それらの製造方法およびそれらの使用
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-198688   Applicant：ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
• アザフラーレン2量体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-093871   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• アザフラ-レンの製造方法及び精製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-055645   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• フラーレン類の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-185832   Applicant：三菱化学株式会社
• フラーレン類の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-068311   Applicant：三菱化学株式会社
• フラーレン類の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-185834   Applicant：三菱化学株式会社
• フラーレン類の精製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-034163   Applicant：三菱化学株式会社
• フラーレンの分離方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-429548   Applicant：三菱化学株式会社, フロンティアカーボン株式会社, 関西熱化学株式会社
• フラーレン類の分離方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-429549   Applicant：三菱化学株式会社, フロンティアカーボン株式会社, 関西熱化学株式会社
• 光電変換素子及び太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-345718   Applicant：シャープ株式会社, 株式会社国際基盤材料研究所
• 有機材料フォトダイオード
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-502751   Applicant：リイクスウニヴェルシタイトグロニンゲン
• フラーレン類含有半導体ヘテロ接合膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-169534   Applicant：三菱化学株式会社
• 有機太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-250277   Applicant：株式会社豊田中央研究所

Cited by examiner (17)

• 新規フラーレン誘導体およびその合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-356356   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• ラジカル・スカベンジャーとして有用な高フラーレン
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-544135   Applicant：ナノ-シー,インク.
• 高効率フラーレン基材ラジカル・スカベンジャー
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-544136   Applicant：ナノ-シー,インク.
• フラ-レン誘導体及びその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-041020   Applicant：住友化学工業株式会社
• アザフラーレン誘導体、それらの製造方法およびそれらの使用
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-198688   Applicant：ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
• アザフラーレン2量体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-093871   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• アザフラ-レンの製造方法及び精製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-055645   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• フラーレン類の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-185832   Applicant：三菱化学株式会社
• フラーレン類の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-068311   Applicant：三菱化学株式会社
• フラーレン類の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-185834   Applicant：三菱化学株式会社
• フラーレン類の精製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-034163   Applicant：三菱化学株式会社
• フラーレンの分離方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-429548   Applicant：三菱化学株式会社, フロンティアカーボン株式会社, 関西熱化学株式会社
• フラーレン類の分離方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-429549   Applicant：三菱化学株式会社, フロンティアカーボン株式会社, 関西熱化学株式会社
• 光電変換素子及び太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-345718   Applicant：シャープ株式会社, 株式会社国際基盤材料研究所
• 有機材料フォトダイオード
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-502751   Applicant：リイクスウニヴェルシタイトグロニンゲン
• フラーレン類含有半導体ヘテロ接合膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-169534   Applicant：三菱化学株式会社
• 有機太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-250277   Applicant：株式会社豊田中央研究所

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• J.Org.Chem., 1995, Vol.60, No.3, p.532-538

Cited by examiner (1)

• J.Org.Chem., 1995, Vol.60, No.3, p.532-538