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J-GLOBAL ID:200903054699713137
画像増強装置及びそのための電子増倍装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6):
青木 篤
, 鶴田 準一
, 島田 哲郎
, 倉地 保幸
, 下道 晶久
, 西山 雅也
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2006509281
Publication number (International publication number):2006521680
Application date: Mar. 25, 2004
Publication date: Sep. 21, 2006
Summary:
画像増強装置(300)及びそのための電子増倍装置(312)が開示されている。1つの画像の光子(308)が光電陰極(306)に衝突し、これが光子を電子に転換させる。電子増倍装置が光電陰極からの電子を増倍させて増大した数の電子を作り出す。センサー(314)は該増大した数の電子を捕捉して増強した画像を生成する。電子増倍装置は、半導体構造(320)を収納する電子ボンバードデバイス(EBD)である。半導体構造は、電子を受け入れるための入力表面(320a)及び増大した数の電子を通過させるための発出表面(320b)を有する。半導体構造は、該半導体構造を通って発出表面上の発出領域まで電子の流れを導くようにドープされる。
Claim (excerpt):
電子を受け入れるための入力表面及び該入力表面とは反対側の発出表面を有し、受け入れた電子に応答して増大した数の電子を生成し、かつ前記発出表面上の少なくとも1つの発出領域に対して増大した数の電子を導くようにドープされており、該少なくとも1つの発出領域の各々が前記入力表面の対応する領域と結びつけられている半導体構造、を含んで成る電子増倍装置。
IPC (3):
H01J 1/32
, H01J 31/50
, H01J 43/16
FI (3):
H01J1/32 C
, H01J31/50 Z
, H01J43/16
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特許第1377566号
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表面に電界が生成される半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-062581
Applicant:ヒユーズ・エアクラフト・カンパニー
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特許第2651352号
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Article cited by the Patent:
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