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J-GLOBAL ID:200903054975002444
平面研磨加工方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004354957
Publication number (International publication number):2006159352
Application date: Dec. 08, 2004
Publication date: Jun. 22, 2006
Summary:
【課題】 被処理物を平面研磨加工する方法において、被処理物のウエビネスを改善する平面研磨加工方法を提供する。【手段】 加工キャリアの貫通孔内に配された被処理物の両面を研磨パッドを用いて目標厚みに研磨する平面研磨加工方法であって、該加工キャリアが、該目標厚みの0.8倍以上1.0倍以下の厚みを有し、該研磨パッドが、硬度70以上を有することを特徴とする平面研磨加工方法を提供する。また、加工キャリアの貫通孔内に配された被処理物の両面を研磨パッドを用いて目標厚みに研磨する平面研磨加工方法であって、該加工キャリアの貫通孔内に、該目標厚みの0.8倍以上1.0倍以下の厚みを有する修正プレートを配し、該研磨パッドが、硬度70以上を有することを特徴する平面研磨加工方法を提供する。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
加工キャリアの貫通孔内に配された被処理物の両面を研磨パッドを用いて目標厚みに研磨する平面研磨加工方法であって、該加工キャリアが、該目標厚みの0.8倍以上1.0倍以下の厚みを有し、該研磨パッドが、硬度70以上を有することを特徴とする平面研磨加工方法。
IPC (3):
B24B 37/04
, B24B 37/00
, G11B 5/84
FI (3):
B24B37/04 C
, B24B37/00 A
, G11B5/84 A
F-Term (16):
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058AB04
, 3C058CA01
, 3C058CA06
, 3C058CB01
, 3C058DA06
, 3C058DA18
, 5D112AA02
, 5D112AA24
, 5D112BA02
, 5D112BA09
, 5D112GA03
, 5D112GA04
, 5D112GA09
, 5D112GA12
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
-
半導体ウェハ両面研磨装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-326740
Applicant:三菱マテリアル株式会社
-
両面研磨用キャリア
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-184405
Applicant:信越半導体株式会社
-
研磨用キャリア及び研磨方法並びに情報記録媒体用基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-093944
Applicant:ホーヤ株式会社
Cited by examiner (2)
-
研磨用キャリア及び研磨方法並びに情報記録媒体用基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-093944
Applicant:ホーヤ株式会社
-
両面研磨用キャリア
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-184405
Applicant:信越半導体株式会社
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