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J-GLOBAL ID：200903055013622994

有機薄膜トランジスタ素子の製造方法

Inventor： 平井 桂
Applicant, Patent owner： コニカミノルタホールディングス株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002114588
Publication number (International publication number)：2003309266
Application date： Apr. 17, 2002
Publication date： Oct. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】 リーク電流が低減し、且つ、画素欠陥の少ない有機薄膜トランジスタ素子の製造方法を提供する。【解決手段】 支持体上に、少なくともゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子の製造方法において、該有機半導体層と接する部位の表面を予めプラズマ処理する工程の後、前記有機半導体層を設ける工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。

Claim (excerpt)：

支持体上に、少なくともゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子の製造方法において、該有機半導体層と接する部位の表面を予めプラズマ処理する工程の後、前記有機半導体層を設ける工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/417 ,  H01L 51/00

FI (5)：

H01L 21/28 301 Z ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/50 M ,  H01L 29/28

F-Term (79)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD31 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD68 ,  4M104DD75 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE41 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF21 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG52 ,  5F110GG53 ,  5F110GG54 ,  5F110GG55 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK31 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-055997   Applicant：株式会社日立製作所
• ウエハ及び基板の処理装置及び処理方法、ウエハ及び基板の移載装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-164526   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-331756   Applicant：株式会社東芝
• 特開平3-291971
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-278868   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-220299   Applicant：ソニー株式会社
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-222917   Applicant：シャープ株式会社