薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997331756
Publication number (International publication number)：1999163362
Application date： Dec. 02, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】塗布技術により膜質等の物性の優れたゲート絶縁膜を形成することが可能な低コストの薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】透明基板上にゲート電極を形成する工程と、少なくとも前記ゲート電極上に塗布法によりゲート絶縁膜を形成する工程と、半導体薄膜を成膜し、パターニングすることにより前記ゲート絶縁膜上に半導体領域を形成する工程とを具備したことを特徴とする

Claim (excerpt)：

透明基板上にゲート電極を形成する工程と、少なくとも前記ゲート電極上に塗布法により酸化ケイ素膜を形成した後、この酸化ケイ素膜を窒素を含むガスのプラズマ中で処理することによりゲート絶縁膜を形成する工程と、半導体薄膜を成膜し、パターニングすることにより前記ゲート絶縁膜上に半導体領域を形成する工程とを具備したことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/268 , H01L 21/28 301 , H01L 21/318

FI (5)：

H01L 29/78 617 V , H01L 21/268 F , H01L 21/28 301 A , H01L 21/318 C , H01L 29/78 627 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平4-196537
半導体素子のエス.オー.ジー(SOG)膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-359858 Applicant：現代電子産業株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-077164 Applicant：株式会社金星社

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