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J-GLOBAL ID：200903055060212737

窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法

Inventor： 岩谷 素顕 ,  竹内 哲也 ,  天野 浩 ,  赤▲崎▼ 勇
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 上野 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998322859
Publication number (International publication number)：2000133601
Application date： Oct. 28, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】多層薄膜の結晶性を改善する。【解決手段】窒化物半導体の低温堆積緩衝層とその直上に堆積した窒化物半導体の単結晶層とから成る層対を複数備える多層堆積基板において、少なくとも一つの前記単結晶層に成長面内の結晶歪が下部の単結晶層の成長面内の結晶歪から圧縮側へ移行するようにした。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体の低温堆積緩衝層とその直上に堆積した窒化物半導体の単結晶層とから成る層対を複数備える多層堆積基板において、少なくとも一つの前記層対の前記単結晶層が該層対の堆積する前記層対の単結晶層に対しその成長面内で圧縮歪側への歪移行をおこなうことを特徴とする窒化物半導体多層堆積基板。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (23)：

5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 単結晶III-V族化合物半導体層の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-184740   Applicant：ソニー株式会社
• 3族窒化物半導体の製造方法及び半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-025852   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-199390   Applicant：富士通株式会社