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J-GLOBAL ID：200903055234302951

窒化物半導体基板及びそれを用いた素子

Inventor：
森田 大介

About 森田 大介


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999080286
Publication number (International publication number)：2000277803
Application date： Mar. 24, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：
【要約】【目的】 素子構造を構成する各層を成長させるための良好な基板を提供し、素子特性を向上させることである。【構成】 下地層を成長させるための基板が、下地層を有しており、下地層が、低温バッファ層の上にp型不純物をドープした窒化物半導体層を成長させているため、従来厚膜に成長することでも解決できなかった、鏡面でウェーハ全体に均一な窒化物半導体基板表面を形成でき、良好な素子が得られる。また、素子を構成する窒化物半導体にAlGaN層を有する場合には、p-n接合部の結晶性が大幅に改善し、良好な素子特性を有するものとなる。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に下地層を有し、該下地層が窒化物半導体からなり多結晶を含むバッファ層と、その上にp型不純物をドープした第1の窒化物半導体層とを少なくとも有することを特徴とする窒化物半導体基板。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 ,  H01S 5/323
FI (4)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 673 ,  H01L 31/04 E
F-Term (52)：
5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045EB15 ,  5F045HA16 ,  5F051AA08 ,  5F051CB08 ,  5F051CB18 ,  5F051CB29 ,  5F051GA04 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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