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J-GLOBAL ID：200903078050873280

半導体発光素子

Inventor：
尺田 幸男

About 尺田 幸男


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994235014
Publication number (International publication number)：1996097470
Application date： Sep. 29, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 基板と接する半導体層であるバッファ層での結晶欠陥や転位の増加を防止することにより発光に寄与する半導体層での結晶欠陥や転位の発生を抑制し、信頼性の向上した寿命の長い発光素子を提供する。【構成】 基板1上にバッファ層2、3を介して少なくともn型層4およびp型層6を含み発光部(活性層)5を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子であって、前記バッファ層の少なくとも前記基板側が電流の流れにくい半導体層で形成されている。
Claim (excerpt)：
基板上にバッファ層を介して少なくともn型層およびp型層を含み発光部を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子であって、前記バッファ層の少なくとも前記基板側が電流の流れにくい半導体層である半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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