Pat

J-GLOBAL ID：200903078050873280

半導体発光素子

Inventor： 尺田 幸男
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994235014
Publication number (International publication number)：1996097470
Application date： Sep. 29, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 基板と接する半導体層であるバッファ層での結晶欠陥や転位の増加を防止することにより発光に寄与する半導体層での結晶欠陥や転位の発生を抑制し、信頼性の向上した寿命の長い発光素子を提供する。【構成】 基板1上にバッファ層2、3を介して少なくともn型層4およびp型層6を含み発光部(活性層)5を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子であって、前記バッファ層の少なくとも前記基板側が電流の流れにくい半導体層で形成されている。

Claim (excerpt)：

基板上にバッファ層を介して少なくともn型層およびp型層を含み発光部を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子であって、前記バッファ層の少なくとも前記基板側が電流の流れにくい半導体層である半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-357046   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開平4-209577
  
• 半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-004720   Applicant：旭化成工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-034133   Applicant：日亜化学工業株式会社