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J-GLOBAL ID：200903055335737398

ポジ型ホトレジスト組成物

Inventor：
森尾 公隆

About 森尾 公隆

, 
加藤 哲也

About 加藤 哲也


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998302552
Publication number (International publication number)：2000131835
Application date： Oct. 23, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：
【要約】【課題】 高温ベークに施されても昇華物が発生しにくく、感度、解像性に優れるとともに、残膜率の高い矩形に近いレジストパターンを形成し得るポジ型ホトレジスト組成物の提供。【解決手段】 (a)少なくともp-クレゾールを含むフェノール類を酸触媒下アルデヒド類と反応させて得られる非ハイオルソ型のクレゾールノボラック樹脂および(b)キノンジアジド基含有化合物を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物において、(a)成分中のp-クレゾールの2核体含有量がGPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー)法において2.0重量%未満であることを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。
Claim (excerpt)：
(a)少なくともp-クレゾールを含むフェノール類を酸触媒下アルデヒド類と反応させて得られる非ハイオルソ型のクレゾールノボラック樹脂および(b)キノンジアジド基含有化合物を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物において、(a)成分中のp-クレゾールの2核体含有量がGPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー)法において2.0%未満であることを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。
IPC (4)：
G03F 7/023 511 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/022 ,  H01L 21/027
FI (4)：
G03F 7/023 511 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/022 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (14)：
2H025AA00 ,  2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA10 ,  2H025AB14 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AD03 ,  2H025BE01 ,  2H025CB29 ,  2H025CB56 ,  2H025CC20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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