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J-GLOBAL ID：200903055375805736
接合方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
特許業務法人 田中・岡崎アンドアソシエイツ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006156085
Publication number (International publication number)：2007324523
Application date： Jun. 05, 2006
Publication date： Dec. 13, 2007
Summary：
【課題】 半導体チップのダイボンド等において、比較的低温で十分な接合強度を有する接合部をえることができる方法を提供する。【解決手段】 半導体チップ10に純度が99.9重量%以上であり、平均粒径が0.005μm〜1.0μmである金粉、銀粉、白金粉、又はパラジウム粉から選択される一種以上の金属粉末と、有機溶剤とからなる金属ペースト20を塗布した。金属ペースト20を塗布した後、これを乾燥器にて真空乾燥し、チップを230°Cで30分加熱して金属ペーストを焼結し、粉末金属焼結体21とした。次に、Ni板30を、半導体チップ10の上に載置し、加熱及び加圧して接合する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
一対の接合部材を接合する方法において、下記工程を含むことを特徴とする方法。
(a)一方の接合部材に、純度が99.9重量%以上であり、平均粒径が0.005μm〜1.0μmである金粉、銀粉、白金粉、又はパラジウム粉から選択される一種以上の金属粉末と、有機溶剤とからなる金属ペーストを塗布する工程。
(b)前記金属ペーストを乾燥し、80〜300°Cの温度で焼結させて金属粉末焼結体とする工程。
(c)前記金属粉末焼結体を介して前記一方の接合部材と他方の接合部材とを配置し、少なくとも金属粉末焼結体を加熱しながら一方向又は双方向から加圧して接合する工程。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L21/52 E
, H01L21/52 G
, H01L21/60 311S
5F044LL07
, 5F044RR00
, 5F047BA05
, 5F047BA06
, 5F047BA15
, 5F047BA21
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (2)
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