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J-GLOBAL ID：200903042187661021

ダイボンディング方法及びダイボンディング装置

Inventor：
斉藤 勝

About 斉藤 勝

, 
安西 洋

About 安西 洋

, 
八幡 直幸

About 八幡 直幸


Applicant, Patent owner：
ジューキ株式会社

About ジューキ株式会社


Agent (2)： 荒船 博司 ,  荒船 良男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002159997
Publication number (International publication number)：2004006521
Application date： May. 31, 2002
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：
【課題】半導体レーザチップをサブマウントに高能率かつ熱歪を残留させることなく信頼性を持って接合させることを課題とする。【解決手段】サブマウントの表面に半導体素子をダイボンディングするダイボンディング方法である。この方法は、半導体素子をダイボンディングする際に、サブマウントが載置される載置台を、加熱手段により予め加熱する予熱行程と、予熱行程の後に、加熱手段が予熱行程よりも大きな熱量を載置台に与えて、載置台を加熱することにより、サブマウントおよび半導体素子の間に介在するろう材を溶融させる加熱行程と、ろう材が溶融した後に、加熱手段を載置台から離間させて、載置台を冷却する冷却行程を有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
サブマウントの表面に半導体素子をダイボンディングするダイボンディング方法において、 前記半導体素子をダイボンディングする際に、前記サブマウントが載置される載置台を前記載置台に接触する加熱手段により予め加熱する予熱行程と、 前記予熱行程の後に、前記加熱手段が前記予熱行程よりも大きな熱量を前記載置台に与えて、前記載置台を加熱することにより、前記サブマウント及び前記半導体素子の間に介在するろう材を溶融させる加熱行程と、 前記ろう材が溶融した後に、前記加熱手段を前記載置台から離間させて、前記載置台を冷却する冷却行程とを有することを特徴とするダイボンディング方法。
IPC (2)：
H01S5/022 ,  H01L21/52
FI (3)：
H01S5/022 ,  H01L21/52 C ,  H01L21/52 F
F-Term (12)：
5F047AA19 ,  5F047CA08 ,  5F047FA51 ,  5F047FA62 ,  5F047FA69 ,  5F073BA02 ,  5F073CA05 ,  5F073EA29 ,  5F073FA13 ,  5F073FA15 ,  5F073FA18 ,  5F073FA22
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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