磁気抵抗効果膜およびそれを用いたメモリ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：金田暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001311323
Publication number (International publication number)：2003124539
Application date： Oct. 09, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】サブミクロンサイズ以下の微小サイズの磁気抵抗効果膜、特に最小加工寸法の磁気抵抗効果膜を提供し、さらにこの磁気抵抗効果膜を用いたメモリ素子を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果膜の構成要素である磁性体111、112において、磁性体は垂直磁化を示し、磁気抵抗効果膜の積層方向から磁性体を見た形状が、磁性体の幅に対する長さの比が0.77以上1.30以下の範囲内で有り、かつ長さと幅がどちらも1μm未満となる構成である。

Claim (excerpt)：

磁気抵抗効果膜の構成要素である磁性体において、磁性体は垂直磁化を示し、磁気抵抗効果膜の積層方向から磁性体を見た形状が、磁性体の幅に対する長さの比が0.77以上1.30以下の範囲内で有り、かつ長さと幅がどちらも1μm未満であることを特徴とする磁気抵抗効果膜。

IPC (7)：

H01L 43/08 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01F 10/16 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , H01L 27/105

FI (9)：

H01L 43/08 P , H01L 43/08 Z , G11C 11/14 A , G11C 11/14 E , G11C 11/15 , H01F 10/16 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , H01L 27/10 447

F-Term (13)：

5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA09 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA06 , 5E049CB02 , 5E049DB02 , 5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083LA03 , 5F083MA06 , 5F083MA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

磁気メモリおよびその記録方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-090495 Applicant：シャープ株式会社
磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法、画像録画再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-096117 Applicant：キヤノン株式会社
磁気抵抗効果メモリ、および、それに記録される情報の再生方法とその再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-281863 Applicant：キヤノン株式会社

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