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J-GLOBAL ID：200903075366069564

半導体発光素子

Inventor：
佐 伯 亮

About 佐 伯 亮


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999184328
Publication number (International publication number)：2001015798
Application date： Jun. 29, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】 lnGaAlP系半導体発光素子において、従来のGaAs基板では得られなかった種々の特徴を有し、且つ環境対策面においても改善された半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 GaAs基板の代わりにゲルマニウム基板を用いることによって、基板とInGaAlP系半導体の熱膨張率の差を小さくすることができ、さらに高温での熱安定性も大幅に改善することができる。その結果として、半導体発光素子の発光特性や信頼性を従来よりも改善することが可能となる。さらに、基板をp型とした場合に、従来よりも低抵抗とすることが可能であり、発光素子の設計の自由度が大幅に拡大する。また、GaAs基板を用いた従来の発光素子と比較して砒素(As)の含有量を劇的に減らすことができる点でも有利である。
Claim (excerpt)：
ゲルマニウム基板と、InGaAlP系半導体からなる発光層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
F-Term (7)：
5F041AA21 ,  5F041AA43 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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