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J-GLOBAL ID：200903055444375374

酸化チタン薄膜の製造方法

Inventor：
鯉沼 秀臣

About 鯉沼 秀臣


Applicant, Patent owner：
新技術事業団

About 新技術事業団


Agent (1)： 小倉 亘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995079894
Publication number (International publication number)：1996253322
Application date： Mar. 10, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：
【要約】【目的】 低温プラズマを使用して酸化チタン薄膜を高速合成する。【構成】 不活性ガスをメインガスとして発生させた大気圧グロー放電ビームプラズマに一般式Ti(OR)4 (Rは低級アルキル基を示す)で示されるチタン化合物をガス状で供給して、基体上に酸化チタン薄膜を堆積する。チタン化合物と共に水素ガスを同時に供給しても良い。【効果】 低温で合成ができるため、基板に悪影響を与えることなく、高品質の酸化チタン薄膜が合成される。
Claim (excerpt)：
不活性ガスをメインガスとして発生させた大気圧グロー放電ビームプラズマに下記一般式(1)Ti(OR)4 ・・・・(1)(Rは低級アルキル基を示す)で示されるチタン化合物をガス状で供給して、基体上に酸化チタン薄膜を堆積することを特徴とする酸化チタン薄膜の製造方法。
IPC (7)：
C01G 23/07 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  C07F 7/28
FI (7)：
C01G 23/07 ,  B01J 19/08 G ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X ,  C07F 7/28 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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