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J-GLOBAL ID:200903055486005496
グラファイトナノファイバー薄膜形成用熱CVD装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
北村 欣一 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000313028
Publication number (International publication number):2002121673
Application date: Oct. 13, 2000
Publication date: Apr. 26, 2002
Summary:
【要約】【課題】 グラファイトナノファイバー薄膜形成用熱CVD装置を、該薄膜形成プロセスに利用される炭素含有ガスと水素ガスとの再利用により、その混合ガスの消費量を少なくし、装置のランニングコストを低くできるように構成する。【解決手段】 炭素含有ガスと水素ガスとの混合ガスを真空チャンバー12に導入する混合ガス供給系18が接続された真空チャンバーに排ガス循環手段21を付設する。この場合、該排ガス循環手段は、真空チャンバーから排気されてくる排ガス中のH2Oをトラップして、H2Oの除去された排ガスを混合ガス供給系に戻し、再利用するように構成されている。
Claim (excerpt):
炭素含有ガスと水素ガスとの混合ガスを真空チャンバーに導入する混合ガス供給系を備え、基板加熱手段によって被処理基板を加熱しつつ、真空チャンバー外部のガス源に接続された混合ガス供給系から混合ガスを真空チャンバー内に導入することで被処理基板上にグラファイトナノファイバー薄膜を形成する熱CVD装置において、該真空チャンバーに排ガス循環手段が付設され、該排ガス循環手段は、真空チャンバーから排気されてくる排ガス中のH2Oをトラップして、H2Oの除去された排ガスを混合ガス供給系に戻し、再利用するように構成されていることを特徴とするCVD装置。
IPC (6):
C23C 16/44
, B01J 19/00
, C01B 31/02 101
, C23C 16/26
, C23C 16/46
, D01F 9/127
FI (6):
C23C 16/44 E
, B01J 19/00 K
, C01B 31/02 101 F
, C23C 16/26
, C23C 16/46
, D01F 9/127
F-Term (32):
4G046CA01
, 4G046CA02
, 4G046CB03
, 4G046CB08
, 4G046CC06
, 4G046CC09
, 4G075AA24
, 4G075AA30
, 4G075BC04
, 4G075CA02
, 4G075CA65
, 4G075DA01
, 4G075EB01
, 4G075EC01
, 4K030AA14
, 4K030AA17
, 4K030BA27
, 4K030BB12
, 4K030CA06
, 4K030CA17
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030EA12
, 4K030HA04
, 4K030JA05
, 4K030JA06
, 4K030KA41
, 4L037CS04
, 4L037FA02
, 4L037PA03
, 4L037PA06
, 4L037PA19
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
-
カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-305512
Applicant:キヤノン株式会社
-
特開平2-124799
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薄膜形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-345145
Applicant:東レ株式会社
-
真空排気システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-074620
Applicant:株式会社荏原製作所
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