犠牲材料を用いた半導体構造およびその製造方法並びに実施方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人明成国際特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003506002
Publication number (International publication number)：2005519454
Application date： Mar. 26, 2002
Publication date： Jun. 30, 2005
Summary：

【課題】【解決手段】半導体素子が提供されている。その半導体素子は、トランジスタ素子を有する基板と、複数の銅被覆相互接続配線および導電ビアとを備える。複数の銅被覆相互接続配線および導電ビアは、空気誘電体によって互いに絶縁されるように、半導体素子の複数の相互接続レベルの各々に設けられている。半導体素子は、さらに、半導体素子の複数の相互接続レベルを貫通して延びる支柱部を形成するようそれぞれ構成された複数の支持スタブを備える。

Claim (excerpt)：

半導体素子であって、トランジスタ素子を有する基板と、前記半導体素子の複数の相互接続レベルの各々に設けられると共に、空気誘電体によって互いに絶縁された複数の銅被覆相互接続配線および導電ビアと、前記半導体素子の前記複数の相互接続レベルを貫通して延びる支柱部を形成するようそれぞれ構成された複数の支持スタブとを備える半導体素子。

IPC (1)：

H01L21/768

FI (3)：

H01L21/90 N , H01L21/90 A , H01L21/90 C

F-Term (35)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033RR30 , 5F033XX24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-313896
特開平2-220464
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-099529 Applicant：株式会社東芝

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