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J-GLOBAL ID：200903055648732656

記憶素子

Inventor： 大森 広之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (2)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004264421
Publication number (International publication number)：2006080385
Application date： Sep. 10, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：

【課題】 小さい電流で情報を記録することができ、かつ記録された情報を長期間保持することができる記憶素子を提供する。【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層17と、この記憶層17に対して非磁性層16を介して設けられた磁化固定層21とを少なくとも有し、非磁性層16を通じて、記憶層17と磁化固定層21との間に電流を流すことにより情報の記録が行われ、記憶層17がFe,Co,Niから選ばれる少なくとも1種の元素とGdとを含有する記憶素子10を構成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、 前記記憶層に対して非磁性層を介して設けられ、磁化の向きが固定された磁化固定層とを少なくとも有し、 前記非磁性層を通じて、前記記憶層と前記磁化固定層との間に電流を流すことにより情報の記録が行われる記憶素子であって、 前記記憶層が、Fe,Co,Niから選ばれる少なくとも1種の元素と、Gdとを含有する ことを特徴とする記憶素子。

IPC (8)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10

FI (8)：

H01L27/10 447 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10

F-Term (11)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA06 ,  5E049CB01 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-203934   Applicant：財団法人理工学振興会, 財団法人神奈川科学技術アカデミー

Cited by examiner (2)

• 磁性膜の磁化反転方法、磁気抵抗効果膜及びそれを用いた磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-295709   Applicant：キヤノン株式会社
• 非晶質フェリ磁性合金を使用してスピン偏極電流で書き込みを行なう磁気メモリ及びその書き込み方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-529474   Applicant：セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク