半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997052085
Publication number (International publication number)：1998256537
Application date： Mar. 06, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】しきい値特性に影響を与えることなくゲート絶縁膜中にNを導入し、ゲート絶縁膜中におけるホットキャリアのトラップを抑止した半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート絶縁膜上にゲート電極パターンを生成した後、前記ゲート電極パターンをマスクとして使いながら、前記ゲート絶縁膜中の、前記ゲート電極パターンで保護されていない部分にNを導入する。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成されたゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極と、前記基板中、前記ゲート電極の両側に形成された第1および第2の拡散領域とよりなる半導体装置において、前記ゲート酸化膜は、前記ゲート電極直下の第1の領域と、前記第1の領域に隣接する第2の領域とにおいて、N(窒素)を、前記第2の領域におけるNの濃度の方か、前記第1の領域におけるNの濃度よりも実質的に大きくなるように含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/318

FI (2)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/318 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

MOS型トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-194118 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-116869
MOSトランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-289818 Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド

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