シリコンウェーハの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：荒船良男 , 荒船博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003051321
Publication number (International publication number)：2004260086
Application date： Feb. 27, 2003
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：

【課題】反応容器のメンテナンス、部品交換等が行われて反応容器内が大気に曝された後、シリコン薄膜の気相成長を開始する前に、サセプタのクリーニングを適正に行う。【解決手段】ロードロック室を介して搬送され反応容器2内のサセプタ1上に載置されたシリコン単結晶基板Wの表面上にシリコン薄膜を気相成長させてシリコンウェーハを製造する方法である。反応容器2内が大気に曝された後、異物除去用ウェーハ80をサセプタ1上に載置してサセプタ1上に存する異物を除去する異物除去工程(ステップS1)を行う。異物除去工程(ステップS1)の後で、且つ、反応容器2内にシリコン原料ガスを供給する前に、反応容器2内を加熱する熱処理工程(ステップS3)を行う。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ロードロック室を介して搬送され反応容器内のサセプタ上に載置された半導体基板の表面上にシリコン薄膜を気相成長させてシリコンウェーハを製造する方法において、前記反応容器内が大気に曝された後、異物除去用ウェーハを前記サセプタ上に載置して前記サセプタ上に存する異物を除去する異物除去工程と、前記異物除去工程の後で、且つ、前記反応容器内にシリコン原料ガスを供給する前に、前記反応容器内を加熱する熱処理工程と、を行うことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L21/205 , C23C16/44

FI (2)：

H01L21/205 , C23C16/44 J

F-Term (10)：

4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 5F045AB02 , 5F045BB14 , 5F045EB06 , 5F045EM02 , 5F045EM09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

パーティクル除去方法及びパーティクル除去手段を有する半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-291013 Applicant：富士通株式会社
真空チャンバーの減圧方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-338401 Applicant：シャープ株式会社
特開平2-184018

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