ガス検知素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北村修一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998090214
Publication number (International publication number)：1999287780
Application date： Apr. 02, 1998
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：

【要約】【課題】湿度変動に伴うガス検知性能やガス選択性能の変動を大幅に抑制できたガス検知素子を得ること。【解決手段】原子価制御された酸化スズ半導体を主成分とする金属酸化物半導体部を備えたガス検知素子であって、前記金属酸化物半導体部が、前記酸化スズ半導体に対してコバルト、クロム、鉄の中から選択された少なくとも一種の金属の酸化物を、0.05atm%〜0.5atm%で添加してあることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

原子価制御された酸化スズ半導体を主成分とする金属酸化物半導体部を備えたガス検知素子であって、前記金属酸化物半導体部が、前記酸化スズ半導体に対してコバルト、クロム、鉄の中から選択された少なくとも一種の金属の酸化物を、0.05atm%〜0.5atm%で添加してあるものであるガス検知素子。

FI (2)：

G01N 27/12 B , G01N 27/12 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

厚膜ガスセンサおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-227661 Applicant：富士電機株式会社
特開昭52-095295

Cited by examiner (7)

厚膜ガスセンサおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-227661 Applicant：富士電機株式会社
特開昭52-095295
特開昭52-095295

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