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J-GLOBAL ID：200903055799751580

ダイヤモンドに形成された構造

Inventor： リネアス,ロバート,シー. ,  ドォーリング,パトリック,ジェイ. ,  ドロムスハウザー,ウィリアム,ダブリュ. ,  リネアス,ブライアント ,  ジェニス,アルフレッド,アール.
Applicant, Patent owner： アポロ ダイヤモンド,インク
Agent (1)： 大菅 義之
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008521606
Publication number (International publication number)：2009500695
Application date： Jul. 11, 2006
Publication date： Jan. 08, 2009
Summary：

ダイヤモンドのN-Vセンターを制御された方法で作製する。一つの実施形態では、CVD工程を用いて単結晶ダイヤモンドを形成し、その後N-Vセンターを除去するためにアニールする。その後単結晶ダイヤモンドの薄層を、制御された数のN-Vセンターと共に形成する。N-Vセンターは電子回路で使用するための量子ビット(Qubits)を形成する。アニーリングと共に、マスクされ、制御されたイオン注入をCVD形成ダイヤモンドに用いて、光学用途とナノ電気機械デバイス形成の両方のための構造を作製する。導波路がN-Vセンターに光学的に結合するようにして形成してもよく、さらにN-Vセンターと相互作用するために光源と光検出器に結合して形成してもよい。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

単結晶ダイヤモンドの層と、前記単結晶ダイヤモンドの層に形成された導波路と、前記導波路に光学的に結合した孤立N-Vセンターを含むデバイス。

IPC (2)：

G02B 6/42 ,  G02B 6/122

FI (3)：

G02B6/42 ,  G02B6/12 B ,  G02B6/12 A

F-Term (22)：

2H137AA17 ,  2H137AB09 ,  2H137AB12 ,  2H137AB14 ,  2H137AB15 ,  2H137BA02 ,  2H137BA43 ,  2H137BA52 ,  2H137BB02 ,  2H137BB12 ,  2H137BB21 ,  2H137BB25 ,  2H147AB04 ,  2H147AB05 ,  2H147CA01 ,  2H147CB01 ,  2H147CB03 ,  2H147EA14B ,  2H147EA25A ,  2H147FA25 ,  2H147FB04 ,  2H147GA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平2-000385
  
• 特開平2-000385
  
• ダイヤモンドの選択形成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-347201   Applicant：出光石油化学株式会社
• 光導波路とその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-174017   Applicant：住友電気工業株式会社
• 調整可能なCVDダイアモンド構造体
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-564000   Applicant：アポロダイアモンド,インコーポレイティド
• 特開平2-000385
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• APPLIED PHYSICS LETTERS, 20031117, V83 N20, P4190-4192
• PHYSICA STATUS SOLIDI B, 200210, V233 N3, P416-426
• PHYSICA STATUS SOLIDI B, 200210, V233 N3, P416-426
• APPLIED PHYSICS LETTERS, 20050321, V86 N13, P134104-1 - 134104-3
• PHYSICA STATUS SOLIDI B, 200210, V233 N3, P416-426