透明導電膜とその形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：泉名謙治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997333282
Publication number (International publication number)：1999167817
Application date： Dec. 03, 1997
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】薄膜でも低抵抗のインジウム-スズ系の透明導電膜とその形成方法の提供。【解決手段】インジウム/スズの原子比が85/15〜75/25であり、幾何学的膜厚が30nm以下であるインジウム-スズ酸化物系の透明導電膜とその形成方法。

Claim (excerpt)：

インジウム/スズの原子比が85/15〜75/25であり、幾何学的膜厚が30nm以下であるインジウム-スズ酸化物系の透明導電膜。

IPC (4)：

H01B 5/14 , C03C 17/27 , C23C 18/12 , H01B 13/00 503

FI (4)：

H01B 5/14 A , C03C 17/27 , C23C 18/12 , H01B 13/00 503 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

スズドープ酸化インジウム膜の高抵抗化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-312940 Applicant：日本曹達株式会社
特開平2-061914
特開平1-133961

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