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J-GLOBAL ID：200903056086962480

樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

Inventor：
川原 良徳

About 川原 良徳


Applicant, Patent owner：
九州日本電気株式会社

About 九州日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000021678
Publication number (International publication number)：2000294712
Application date： Jan. 31, 2000
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：
【要約】【課題】 リードフレームの一部とヒートスプレッダとを接触状態で重ねたままで樹脂封入し固定した樹脂封止型半導体装置を提供することにある。【解決手段】 半導体素子を搭載したアイランド及びインナリードを有するリードフレームと、半導体素子から発生する熱を拡散するヒートスプレッダを備えた樹脂封止型半導体装置において、ヒートスプレッダとアイランド底部及びインナリードとが接着剤の介在なしに接触すると共に、周辺部においてヒートスプレッダの一部が接触状態で樹脂封止するので、ヒートスプレッダの熱拡散効率を高める事が出来る。
Claim (excerpt)：
半導体素子を搭載したアイランドを有するリードフレームと、前記半導体素子から発生する熱を拡散するヒートスプレッダとを備えた樹脂封止型半導体装置において、前記ヒートスプレッダの上面と前記アイランドの底面とが接着剤の介在なしに接触すると共に、周辺部において前記ヒートスプレッダの一部と前記リードフレームの一部が接触状態で樹脂封止された事を特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (3)：
H01L 23/50 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28
FI (3)：
H01L 23/50 F ,  H01L 21/56 T ,  H01L 23/28 A
F-Term (15)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DA02 ,  4M109DB02 ,  4M109DB04 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061DD12 ,  5F061EA03 ,  5F067AA09 ,  5F067CA02 ,  5F067CA05 ,  5F067DE14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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