低温処理により安定化される金属酸化膜からなる緩衝膜を具備した集積回路装置及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998055558
Publication number (International publication number)：1999054718
Application date： Mar. 06, 1998
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】低温処理により安定化される金属酸化膜からなる緩衝膜を含む半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】強誘電体膜を含む膜と、絶縁膜と、前記強誘電体膜を含む膜と絶縁膜との間に形成され、前記強誘電体膜を含む膜と絶縁膜との相互作用を防止し、600°C以下の低温処理により安定化される金属酸化膜からなる緩衝膜を含む。前記金属酸化膜としては、アルミニウム酸化膜が用いられる。前記金属酸化膜で構成された緩衝膜は、強誘電体物質を含む膜と絶縁膜との間に形成され、強誘電体物質を含む膜と絶縁膜との相互作用を防止する。更に、前記金属酸化膜からなる緩衝膜は、金属膜とシリコンを含む膜との間に形成され、障壁膜として作用する。

Claim (excerpt)：

強誘電体膜を含む膜と、絶縁膜と、前記強誘電体膜を含む膜と絶縁膜との間に形成され、前記強誘電体膜を含む膜と絶縁膜との相互作用を防止し、600°C以下の低温処理により安定化される金属酸化膜からなる緩衝膜を含むことを特徴とする集積回路装置。

IPC (8)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-147992 Applicant：三菱電機株式会社
不揮発性ランダムアクセスメモリ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-138262 Applicant：シャープ株式会社
集積回路用コンデンサの構造およびその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-509459 Applicant：ノーザン・テレコム・リミテッド, マックマスターユニバーシティー

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