熱処理方法及び熱処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅井章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001040570
Publication number (International publication number)：2002246318
Application date： Feb. 16, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】スループットの低下を生ずることなく、被処理体の昇温時に被処理体の反り返り変形が発生することを防止することが可能な熱処理方法を提供する。【解決手段】真空引き可能になされた処理容器14内に設置された載置台24上に被処理体Wを載置し、この被処理体を所定の温度まで昇温して所定の熱処理を施すようにした熱処理方法において、前記被処理体に、前記被処理体の中央部の温度が高くて周縁部の温度が低くなるような温度分布を持たせた状態で前記被処理体を昇温させるようにする。これにより、スループットの低下を生ずることなく、被処理体の昇温時に被処理体の反り返り変形が発生することを防止する。

Claim (excerpt)：

真空引き可能になされた処理容器内に設置された載置台上に被処理体を載置し、この被処理体を所定の温度まで昇温して所定の熱処理を施すようにした熱処理方法において、前記被処理体に、前記被処理体の中央部の温度が高くて周縁部の温度が低くなるような温度分布を持たせた状態で前記被処理体を昇温させるようにしたことを特徴とする熱処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 21/26 , H01L 21/3065

FI (4)：

H01L 21/205 , H01L 21/26 J , H01L 21/26 T , H01L 21/302 B

F-Term (21)：

5F004AA16 , 5F004BB26 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA04 , 5F045AE02 , 5F045AE03 , 5F045AE05 , 5F045AE07 , 5F045AE09 , 5F045AE11 , 5F045AE13 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045BB11 , 5F045DP03 , 5F045EK11 , 5F045EK22 , 5F045EK30 , 5F045GB05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

多点温度モニタによる温度制御方法及び半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-108129 Applicant：株式会社日立製作所
シリコンウェーハの熱処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-209280 Applicant：コマツ電子金属株式会社
熱処理装置および熱処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-304095 Applicant：大日本スクリーン製造株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

"Thermal uniformity of 12-in silicon wafer during rapid thermal processing by inverse heat transfer

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