半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大貫進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998100187
Publication number (International publication number)：1999284187
Application date： Mar. 27, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】低オン抵抗の横型二重拡散MOSFET(100)を提供する。【解決手段】横型二重拡散MOSFET(100)であって、主面(34)を有する基板,主面(34)の所定領域に形成された窪み(31)内に設けられたゲート電極(32),ソース電極,ドレイン電極,ベース(36),ベース(36)のうちゲート電極(32)近傍に形成されるチャネルを有することを特徴とする横型二重拡散MOSFETによって実現される。

Claim (excerpt)：

半導体装置(100)であって:主面(34)を有する基板;前記主面(34)の所定領域に形成された窪み(31)内に設けられたゲート電極(32);ソース電極;ドレイン電極;ベース(36);および前記ベース(36)のうち前記ゲート電極(32)近傍に形成されるチャネル;を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 29/43

FI (2)：

H01L 29/78 301 V , H01L 29/62 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

トップ・ドレイン・トレンチ形RESURF DMOSトランジスタ構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-115047 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
特開平4-142078
特開平4-142078

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