磁気センサ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003115238
Publication number (International publication number)：2004319925
Application date： Apr. 21, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

【課題】耐熱性が高く、小さい外部磁界で動作可能な磁気センサを提供する。【解決手段】GMR素子は、外部磁界に反応して磁化方向が変化する少なくとも一つの耐熱軟磁性層と、予め定められた磁化方向を有する耐熱磁性層を含む少なくとも一つのバイアス層とを有し、耐熱軟磁性層とバイアス層との間に、耐熱軟磁性層とバイアス層とを磁気的に分離する少なくとも一つの非磁性層が配置されている。耐熱軟磁性層は、(NixFe1-x)yB1-y{但し、0.70≦x≦0.90、0.90≦y<1.00}の組成で、バイアス層を構成する耐熱磁性層は、(CoaFe1-a)bB1-b{但し、0.70≦a≦1.00、0.90≦b≦1.00}の組成とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

外部磁界に反応して磁化方向が変化する少なくとも一つの耐熱軟磁性層と、予め定められた磁化方向を有する耐熱磁性層を含む少なくとも一つのバイアス層とを有し、前記耐熱軟磁性層と前記バイアス層との間に、前記耐熱軟磁性層と前記バイアス層とを磁気的に分離する少なくとも一つの非磁性層が配置されていることを特徴とする磁気センサ。

IPC (4)：

H01L43/08 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L43/10

FI (5)：

H01L43/08 Z , H01L43/08 M , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L43/10

F-Term (5)：

5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA16 , 5E049CB02 , 5E049DB14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

磁性多層膜および磁気抵抗変化素子ならびにそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-172709 Applicant：ティーディーケイ株式会社
磁気抵抗効果膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-229559 Applicant：富士通株式会社
磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-265663 Applicant：株式会社東芝

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