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J-GLOBAL ID：200903056253529890

微細パターンの形成方法、半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor：
岡部 一朗

About 岡部 一朗

, 
荒井 宏貴

About 荒井 宏貴


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

About 株式会社半導体先端テクノロジーズ

, 
日本エー・エス・エム株式会社

About 日本エー・エス・エム株式会社


Agent (1)： 高田 守 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999174761
Publication number (International publication number)：2001007115
Application date： Jun. 21, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 化学増幅型レジストパターンを形成する際のレジスト-基板界面におけるレジストパターンの裾引きを抑制する。【解決手段】 下地基板上に、直接またはその他の層を介して、酸化シリコン系の膜を製膜する工程と、前記の膜の上にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストに露光を行い、マスクパターンを転写する工程を有する。酸化シリコン系膜の製膜工程においては、前記酸化シリコン系の膜の表面に含まれる窒素の含有率が0.1atm%以下になるように製膜を行う。
Claim (excerpt)：
下地基板上に、直接またはその他の層を介して、酸化シリコン系の膜を製膜する工程と、前記の膜の上に化学増幅型フォトレジストを形成する工程と、前記化学増幅型フォトレジストにマスクを介して露光を行い、マスクパターンを転写する工程を有する微細パターンの形成方法であって、前記酸化シリコン系の膜を製膜する工程において膜表面中に含まれる窒素の含有率を0.1atm%以下にすることを特徴とする微細パターンの形成方法。
IPC (6)：
H01L 21/3213 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/11 502 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/31
FI (7)：
H01L 21/88 D ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/11 502 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/30 563 ,  H01L 21/30 574
F-Term (50)：
2H025AA00 ,  2H025AA01 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025DA19 ,  2H025DA40 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR15 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX03 ,  5F045AA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045BB04 ,  5F045DC51 ,  5F045DC55 ,  5F045HA01 ,  5F045HA11 ,  5F045HA13 ,  5F046HA05 ,  5F046PA19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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