p型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法、およびIII族窒化物半導体素子

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Applicant, Patent owner：
Agent (5)：長谷川芳樹 , 塩田辰也 , 寺崎史朗 , 柴田昌聰 , 近藤伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004119491
Publication number (International publication number)：2005303146
Application date： Apr. 14, 2004
Publication date： Oct. 27, 2005
Summary：

【課題】 III族窒化物半導体領域中のp型ドーパントを活性化するp型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法、および半導体素子を提供する。【解決手段】 p型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法は、p型ドーパントが添加されたIII族窒化物半導体領域45、47を形成する工程と、p型ドーパントが添加されたIII族窒化物半導体領域45、47に中性子線53を照射して水素55を脱離させ、活性化されたp型ドーパント57を形成する工程を含むことを特徴とする。加熱炉を用いることなく、III族窒化物半導体領域45、47中のp型ドーパントを活性化することができる。中性子線は電荷を持たないので、通過する物質との衝突によってのみ相互作用する。水素の原子核である陽子の質量と中性子の質量がほぼ等しい為、水素原子との相互作用がもっとも大きい。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

p型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法であって、 p型ドーパントが添加されたIII族窒化物半導体領域に中性子線を照射してp型ドーパントを活性化する工程を含むことを特徴とする、方法。

IPC (3)：

H01L21/26 , H01L33/00 , H01S5/343

FI (3)：

H01L21/26 Z , H01L33/00 C , H01S5/343 610

F-Term (15)：

5F041AA03 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA53 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA77 , 5F173AF78 , 5F173AH22 , 5F173AH49 , 5F173AJ03 , 5F173AJ04 , 5F173AP05 , 5F173AP60 , 5F173AR64

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

窒化物半導体の低抵抗化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-039462 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-227272 Applicant：酒井士郎, ナイトライド・セミコンダクター株式会社
半導体への不純物ドーピング方法及びそれによって製造される半導体基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-003151 Applicant：科学技術振興事業団

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