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J-GLOBAL ID：200903047188333844

窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法

Inventor： 酒井 士郎
Applicant, Patent owner： 酒井 士郎 ,  ナイトライド・セミコンダクター株式会社
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000227272
Publication number (International publication number)：2002043619
Application date： Jul. 27, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 GaN系化合物半導体素子において、P型GaN系化合物半導体を得る。【解決手段】 基板10上にN型GaN系化合物半導体層12を形成し、さらにP型不純物をドープしたGaN系化合物半導体層14を形成する。P型不純物をドープしたGaN系化合物半導体層14に特定波長の電磁波を照射し、水素結合を選択的に振動させてHを解離させ、アクセプタとして活性化させる。

Claim (excerpt)：

N型GaN系化合物半導体層とP型GaN系化合物半導体層とを積層してなる素子の製造方法であって、基板上にN型GaN系化合物半導体層とP型不純物を含むGaN系化合物半導体層とを形成するステップと、前記P型不純物を含むGaN系化合物半導体層に所定波長の電磁波を照射するステップと、を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324

FI (4)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/324 C

F-Term (21)：

5F041AA31 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AF09 ,  5F045BB07 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045HA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-043195   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-354655   Applicant：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
• 窒化物半導体の低抵抗化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-039462   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 低抵抗型化合物半導体材料を形成する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-074822   Applicant：國聯光電科技股ふん有限公司
• 半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-229082   Applicant：株式会社東芝