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J-GLOBAL ID：200903023239178818

窒化物半導体の低抵抗化方法

Inventor： 中村 修二 ,  上浦 洋一
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998039462
Publication number (International publication number)：1999238692
Application date： Feb. 23, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：

【要約】【目的】 p型不純物をドープした窒化物半導体を低抵抗にできる従来の技術よりも進歩した、他の新規な技術を提供する。【構成】 p型不純物をドープした窒化物半導体を成長させた後、その窒化物半導体のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを含む電磁波を照射する第工程と、実質的に活性な水素を含まない雰囲気中において、その窒化物半導体を熱処理する工程とを行う。電磁波照射により窒化物半導体に電子を供給して、p型不純物を結合した水素を解離することにより、前記窒化物半導体の抵抗率を低下させる。

Claim (excerpt)：

p型不純物をドープした窒化物半導体を成長させた後、その窒化物半導体のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを含む電磁波を照射する第1の工程と、実質的に活性な水素を含まない雰囲気中において、その窒化物半導体を熱処理する第2の工程とを行うことにより、前記窒化物半導体の抵抗率を低下させることを特徴とする窒化物半導体の低抵抗化方法。

IPC (4)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/268 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4)：

H01L 21/26 F ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-023452   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-112330   Applicant：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
• p型化合物半導体の低抵抗化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-074645   Applicant：新日本製鐵株式会社
• p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-357046   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体素子製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-309705   Applicant：パイオニア株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-354655   Applicant：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝