半導体への不純物ドーピング方法及びそれによって製造される半導体基板

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清水守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001003151
Publication number (International publication number)：2002208568
Application date： Jan. 11, 2001
Publication date： Jul. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】不純物を半導体へ容易にドーピングすることができる半導体への不純物ドーピング方法及びそれによって製造される半導体基板を提供する。【解決手段】負のミュオン・パイオン素粒子をGaN基板4へ照射することによって不純物を半導体へドーピングし、P型化することができる。

Claim (excerpt)：

負のミュオン・パイオン素粒子を半導体へ照射することによって、不純物を前記半導体へドーピングすることを特徴とする半導体への不純物ドーピング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

炭化ケイ素への不純物ドーピング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-273445 Applicant：工業技術院長, 株式会社イオン工学研究所
特開平4-168722
半導体への不純物ドーピング方法及び半導体装置製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-135562 Applicant：ソニー株式会社

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