微細パターン形成材料を用いた半導体装置の製造方法および半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：朝日奈宗太 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999107299
Publication number (International publication number)：2000298356
Application date： Apr. 14, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】残渣の発生がなく、非常に微細なパターンの形成を実現するとともに、パターン形状および面内のサイズ均一性をさらに向上させる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基材上に酸を発生し得る第1のレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターン上に酸の存在により架橋反応を起こす第2のレジストを形成する工程、第1のレジストパターンからの酸の供給により第2のレジストに架橋膜を形成する工程、第2のレジストの非架橋部分を水溶液を用いて溶解剥離して第2のレジストパターンを形成する工程、この第2のレジストパターンを形成する工程を複数回繰り返す工程、さらにこの第2のレジストパターンをマスクとして半導体基材をエッチングする工程からなる方法により半導体装置を製造する。

Claim (excerpt)：

第1のレジストにより半導体基材上に酸を発生し得る第1のレジストパターンを形成する工程、前記第1のレジストパターン上に酸の存在により架橋反応を起こす第2のレジストを形成する工程、前記第1のレジストパターンからの酸の供給により前記第2のレジストの前記第1のレジストパターンに接する部分に架橋膜を形成する工程、前記第2のレジストの非架橋部分を水あるいは水溶性有機溶媒の水溶液を用いて溶解剥離して第2のレジストパターンを形成する工程、この第2のレジストパターンを形成する工程を複数回繰り返す工程、さらにこの第2のレジストパターンをマスクとして前記半導体基材をエッチングする工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

G03F 7/26 511 , G03F 7/004 501 , G03F 7/032 , G03F 7/038 601 , G03F 7/32 , H01L 21/027

FI (7)：

G03F 7/26 511 , G03F 7/004 501 , G03F 7/032 , G03F 7/038 601 , G03F 7/32 , H01L 21/30 569 E , H01L 21/30 573

F-Term (20)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BE02 , 2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096CA12 , 2H096HA01 , 2H096KA02 , 2H096KA07 , 5F046AA02 , 5F046AA13 , 5F046BA07 , 5F046CA04 , 5F046JA04 , 5F046MA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-080940 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-003205 Applicant：三菱電機株式会社
パターン形成方法、位相シフト法用ホトマスクの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-037616 Applicant：沖電気工業株式会社

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