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J-GLOBAL ID：200903025226222110

パターン形成方法

Inventor：
佐藤 功

About 佐藤 功


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 柿本 恭成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995089780
Publication number (International publication number)：1996288200
Application date： Apr. 14, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：
【要約】【目的】 微小なコンタクトホールの形成方法を提供する。【構成】 基板11上に下層レジストパターン12A及びホールパターン12Bを形成し、該パターン12A,12B上に上層レジスト13を形成し、該上層レジスト13の一括露光における該上層レジスト13の露光光に対する吸収係数或いは膜厚に応じてホールパターン12Bの底部に上層レジスト13が十分には露光されずに残留するようにしているので、上層レジスト13の吸収係数や膜厚を適切な値に設定することにより、所望の量及び断面形状の残留レジスト13aを下層レジストパターン12Aの側壁部14及びホールパターン12Bの底部に付着残留させることができ、下層レジストパターン12Aを所望のサイズ及び断面形状に変形することができる。従って、下層レジストパターン12Aで形成した微小ホールを種々の断面形状及び開口寸法のものに変えることができる。
Claim (excerpt)：
第1のコンタクトホールを有するレジストパターンを基板上に形成するレジストパターン形成工程と、露光光に対する吸収率が大きい材料を用いて前記レジストパターン上及び前記第1のコンタクトホールに所望の厚さのポジレジストを形成するレジスト形成工程と、前記基板に対して垂直方向に前記ポジレジストを所望の露光量で露光する露光工程と、前記第1のコンタクトホールの底面の所望の領域に前記基板を露出させると共に該露出した領域の周辺に前記ポジレジストの残留レジストを生じさせることによって該第1のコンタクトホールの寸法より小さい寸法の第2のコンタクトホールを形成する現像工程とを、行うことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521
FI (3)：
H01L 21/30 502 C ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 573
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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