拡張された活性領域の有効幅を有する半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001331596
Publication number (International publication number)：2002198532
Application date： Oct. 29, 2001
Publication date： Jul. 12, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】半導体基板の上側表面だけではなく、トレンチの上側側壁部分をチャネルとして利用でき、拡張された活性領域の有効幅を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板100を選択的にエッチングして形成されたトレンチ200と、トレンチ200の一部を埋め込んでトレンチ200の上側側壁205部分を露出させる素子分離膜500′と、露出されるトレンチ200の上側側壁部分及びトレンチ200に隣接する半導体基板100の上側表面105上に形成されたゲート絶縁膜700、及びゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極800を含む半導体装置。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板を選択的にエッチングして形成されたトレンチと、前記トレンチの一部を埋め込んで前記トレンチの上側側壁部分を露出させる素子分離膜と、前記露出されるトレンチの上側側壁部分及び前記トレンチに隣接する前記半導体基板の上側表面上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/76

FI (3)：

H01L 29/78 301 H , H01L 29/78 301 R , H01L 21/76 L

F-Term (25)：

5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA46 , 5F032BA01 , 5F032BA08 , 5F032CA17 , 5F032DA25 , 5F032DA26 , 5F032DA33 , 5F032DA43 , 5F032DA53 , 5F032DA74 , 5F032DA77 , 5F032DA78 , 5F140AA29 , 5F140BA01 , 5F140BB03 , 5F140BB05 , 5F140BB13 , 5F140BC07 , 5F140BC15 , 5F140BF44 , 5F140CB04 , 5F140CE06 , 5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-174048 Applicant：シャープ株式会社
電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-087428 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-232506 Applicant：株式会社東芝

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