トレンチ隔離の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999287090
Publication number (International publication number)：2000124303
Application date： Oct. 07, 1999
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】トレンチエッチングマスクが活性領域に与えるストレスを最小化でき、上部エッジ部位に発生される凹みを防止し、窒化膜ライナの厚さを増加させることができるトレンチ隔離の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板200上に、半導体基板側に位置する最低膜として、窒化膜より相対的に半導体基板に与えるストレスが少ない、例えばポリシリコン膜203を用いてトレンチエッチングマスクを形成することを特徴とするトレンチ隔離の製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、該半導体基板側の最低膜が、窒化膜より相対的に半導体基板に与えるストレスが少ない膜質の膜となるようにトレンチエッチングマスクを形成する段階と、前記トレンチエッチングマスクを使用して半導体基板をエッチングしてトレンチを形成する段階と、前記トレンチの内壁に熱酸化膜を形成する段階と、前記熱酸化膜及びトレンチエッチングマスク上に窒化膜ライナを形成する段階と、前記トレンチを充填するために、前記窒化膜ライナ上にトレンチ隔離膜を形成する段階と、前記トレンチ以外の領域のトレンチ隔離膜を除去するため、前記トレンチ隔離膜を平坦化エッチングする段階と、前記トレンチエッチングマスクを除去する段階と、を含むことを特徴とするトレンチ隔離の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-185790 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-123133 Applicant：株式会社東芝
半導体素子の素子分離膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-104812 Applicant：現代電子産業株式会社

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