薄膜型電子源およびそれを用いた表示装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995296471
Publication number (International publication number)：1997139175
Application date： Nov. 15, 1995
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】薄膜型電子源において,長期間にわたってノイズのない放出電流を得るとともに,長寿命化を図る。【解決手段】薄膜型電子源の上部電極を2層構造とし,絶縁層に接する膜をTi, V, Rh, Pt, Th, Zr, Hf, Ru, Mo, Ir, Nb, Ta, Re, Os, W で形成し,真空に接する膜をそれと異なる材料で形成する。【効果】長時間動作させても特性劣化が起こらないほか,動作電圧の低減や低エネルギー分散かつ高放出電流といった薄膜電子源の特性向上も同時に実現でき,さらにこれを用いて画像表示装置を製作することによりチラツキのない画像を表示できる。

Claim (excerpt)：

下部電極,絶縁層,上部電極を積層した構造を有し,前記下部電極と上部電極間に,上部電極が正電圧になる極性の電圧を印加した際に,前記上部電極表面から真空中に電子を放出する薄膜型電子源において,前記上部電極を,前記絶縁層に接する材料Aとそれと異なる真空部分に接する材料Bとを積層した構造とし,前記材料Aとして Pt, Th, Zr, Hf, Ru, Mo, Ir, Nb, Ta, Re, Os, W のいずれかまたはこれらの合金を用いたことを特徴とする薄膜型電子源。

IPC (2)：

H01J 1/30 , H01J 31/12

FI (2)：

H01J 1/30 B , H01J 31/12 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭63-091925
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-261632 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-080170 Applicant：日本電気株式会社

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