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J-GLOBAL ID：200903056552619901

半導体レーザ

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Inventor： 原山 卓久 ,  福嶋 丈浩 ,  ピーター デイビス
Applicant, Patent owner： 株式会社国際電気通信基礎技術研究所
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003020755
Publication number (International publication number)：2004235339
Application date： Jan. 29, 2003
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：

【課題】従来の出射方向と異なる出射方向を有する半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体レーザ10は、基板1と、キャビティ2と、絶縁膜3と、正極電極4と、負極電極5とを備える。キャビティ2は、基板1上に形成される。絶縁膜3は、キャビティ2上に形成される。正極電極4は、キャビティ2上にリング形状に形成される。負極電極5は、基板1の裏面に形成される。キャビティ2は、曲面から成る出射面及び対向面を両端に有する。また、キャビティ2は、GaAsを井戸層として含む単一量子井戸構造から成る。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

曲面から成る出射面を有し、前記出射面からレーザ光を出射するキャビティと、 前記キャビティに電流を注入する正極電極及び負極電極とを備え、 前記正極電極及び前記負極電極の一方の電極は、リング形状から成る、半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S5/042 ,  H01S5/10

FI (2)：

H01S5/042 612 ,  H01S5/10

F-Term (13)：

5F073AA02 ,  5F073AA46 ,  5F073AA61 ,  5F073AA66 ,  5F073AA67 ,  5F073AA89 ,  5F073CA05 ,  5F073CB14 ,  5F073DA25 ,  5F073DA31 ,  5F073EA18 ,  5F073EA21 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭62-213188
  
• 特開昭58-225678
  
• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-335087   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
• 半導体リングレーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-184265   Applicant：株式会社クボタ
• 積層体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-146335   Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "Analysis of Resonator Eigenmodes in Symmetric Quasi-Stadium Laser Diodes"