受光素子を有する半導体装置、光学ピックアップ装置、および受光素子を有する半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998067145
Publication number (International publication number)：1999266033
Application date： Mar. 17, 1998
Publication date： Sep. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】光照射が、受光素子の分割部およびその近傍になされる構成とする場合、周波数特性が悪化する。【解決手段】半導体基板に、第1導電型の第1半導体部と、第2導電型の第2半導体部とによる接合部、すなわちp-n接合によって受光素子を形成する。そして、その第1半導体部の一部に、第2導電型の分割領域を形成し、受光素子の動作時に接合部に印加される逆バイアス電圧以下の逆バイアス電圧の印加によって、受光素子を構成する接合部と分割領域による接合部とからの空乏層の広がりによって第1半導体部を複数部分に分離する構成とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板に、第1導電型の第1半導体部と、第2導電型の第2半導体部とによる接合部による受光素子が形成され、上記第1半導体部の一部に第2導電型の分割領域が形成され、上記受光素子の動作時に上記接合部に印加される逆バイアス電圧以下の逆バイアス電圧の印加によって上記受光素子を構成する接合部および上記分割領域による接合部からの空乏層の広がりによって上記第1半導体部が複数部分に分離されるようにしたことを特徴とする受光素子を有する半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

特開平2-163967
特開平2-291180
光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-302027 Applicant：三洋電機株式会社

光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-007361 Applicant：松下電子工業株式会社

多分割アバランシェフォトダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-286712 Applicant：株式会社ニコン

半導体受光素子及び半導体装置並びにそれらの作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-171838 Applicant：ソニー株式会社

受光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-162412 Applicant：シャープ株式会社

半導体受光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-019084 Applicant：ソニー株式会社

受光素子を含む半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-172952 Applicant：ソニー株式会社

回路内蔵受光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-190435 Applicant：日本電気株式会社

特開昭63-138784

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Cited by examiner (14)

特開平2-163967
特開平2-163967
特開平2-291180

特開平2-291180

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