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J-GLOBAL ID：200903056677892332

半導体製造装置用部材

Inventor： 高橋 佳智 ,  和田 宏明 ,  宮本 太郎
Applicant, Patent owner： 株式会社ブリヂストン
Agent (1)： 中島 淳 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998159668
Publication number (International publication number)：1999071181
Application date： Jun. 08, 1998
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高密度且つ高純度の良質な炭化ケイ素焼結体を用いて、ウエハ等の金属不純物による汚染を防止することができ、生産性が良好で製造コストが低く、且つ、耐久性、耐溶剤性に優れた半導体製造装置用部材を提供する。【解決手段】 炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との混合物を焼結して得られた焼結体であって、密度が2.9g/cm3 以上である炭化ケイ素焼結体を用いることを特徴とする。この炭化ケイ素焼結体は、比抵抗が1Ω・cm以下であり、熱伝導率が200W/m・k以上であり、不純物元素の総含有量が1ppm未満であることが好ましい。また、半導体製造装置用部材は組立式のものであってもよい。

Claim (excerpt)：

炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との混合物を焼結して得られた焼結体であって、密度が2.9g/cm3 以上である炭化ケイ素焼結体を用いたことを特徴とする半導体製造装置用部材。

IPC (6)：

C04B 35/626 ,  C04B 35/573 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/68

FI (6)：

C04B 35/56 101 R ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 M ,  H01L 21/68 N ,  C04B 35/56 101 V ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

• 特開平2-199065
  
• 高純度β型炭化ケイ素焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-147620   Applicant：株式会社ブリヂストン
• 特開昭63-123867
  
• 炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法及び単結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-241856   Applicant：株式会社ブリヂストン
• 半導体製造装置用高純度β型炭化ケイ素焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-306293   Applicant：株式会社ブリヂストン
• 特開平2-199065
  
• 半導体用炭化珪素質部材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-304826   Applicant：信越化学工業株式会社
• 特開平2-199065
  
• 特開昭63-123867
  
• 特開昭64-087559
  
• 特開昭61-261267