分布帰還型半導体レーザ装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995045365
Publication number (International publication number)：1996242034
Application date： Mar. 06, 1995
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】高い素子作製歩留り、良好な単一縦モード特性、低電流動作、素子特性の安定を実現する短波長の利得結合分布帰還型半導体レーザを提供する。【構成】デューティ0.5付近の一次回折格子を有する周期的吸収層を有し、利得結合が十分に生じつつ吸収損失が十分に小さくなるように周期的吸収層の厚さが最適に設定されている。活性層と吸収層との禁制帯幅の差が一定値よりも大きい組み合わせとする。

Claim (excerpt)：

活性層近傍に光分布帰還を与える周期構造を備え、該周期構造が、前記活性層から発生する誘導放出光に対する吸収係数が周期的に変化する、周期的吸収層である利得結合分布帰還型半導体レーザにおいて、前記周期的吸収層は前記誘導放出光に対して一次の次数を有するものであり、このとき、前記周期的吸収層の実効的なデューティD(ここで、周期的吸収層が存在する層内において、その周期毎の吸収領域の割合をD(0≦D≦1)とする)が0.4以上0.8以下であり、かつ前記周期的吸収層の厚さが6nm以上30nm以下であることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体分布帰還型レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-322147 Applicant：光計測技術開発株式会社
損失結合を有するDFBレーザを含む製品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-027184 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
特開平3-035581

Show all

Return to Previous Page