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J-GLOBAL ID：200903056838120424

マイクロ波・ミリ波回路装置及びその製造方法

Inventor： 大畑 恵一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 高橋 詔男 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999067549
Publication number (International publication number)：2000269384
Application date： Mar. 12, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高性能で,高信頼,低コストのパッケージングあるいはモジュール化されたマイクロ波・ミリ波装置を提供する。【解決手段】 母体基板1にMMICチップ4を対向配置し,フリップチップ実装したマイクロ波・ミリ波回路装置において、MMICチップ4の内側の回路5を囲む絶縁体壁11を設け、その外側にアンダーフィル7を施す。

Claim (excerpt)：

母体基板にMMICチップあるいはトランジスタチップを対向配置し、フリップチップ実装したマイクロ波・ミリ波回路装置において、前記MMICチップあるいは前記トランジスタチップの内側の回路を囲む絶縁体壁を設け、その外側にアンダーフィルを設けたことを特徴とするマイクロ波・ミリ波回路装置。

IPC (3)：

H01L 23/28 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 23/12

FI (3)：

H01L 23/28 C ,  H01L 23/12 301 C ,  H01L 23/12 301 J

F-Term (4)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA06 ,  4M109DB07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体素子の放熱構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-280822   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-360576   Applicant：ローム株式会社
• 半導体集積回路装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-178082   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその実装方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-115503   Applicant：松下電器産業株式会社