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J-GLOBAL ID：200903067740854200

半導体集積回路装置とその製造方法

Inventor： 星 裕之 ,  加藤 隆幸 ,  野谷 佳弘
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997178082
Publication number (International publication number)：1999026645
Application date： Jul. 03, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 従来は、封印剤が半導体装置表面に付着してマイクロ波帯以上で半導体装置のインピーダンスを変化させ、利得や出力電力の低下等を起こしていたので、かかる高周波特性の劣化を防止するものを得る。【解決手段】 本発明は、半導体装置11の実装面側に、多層MIC基板16上の電極パッド14に対応した位置に形成する電極用金属バンプ13と、該電極用金属バンプ13より外側に、半導体装置11と多層MIC基板16との間からの封印剤19の侵入を防ぐリング12とを有し、これにより封印剤19の侵入を防止し半導体装置11の表面への付着を防止でき、その結果、半導体装置11の高周波における性能劣化のない気密フリップチップ実装を実現する。

Claim (excerpt)：

高周波集積回路基板上に実装した半導体装置に封印剤を覆い被せて気密フリップチップ実装を実現している半導体集積回路装置において、上記半導体装置の実装面側に、上記高周波集積回路基板上の電極パッドに対応した位置に形成する電極用金属バンプと、該電極用金属バンプより外側に、半導体装置と高周波集積回路基板との間から上記封印剤が侵入してくることを防ぐ封印剤侵入防止機構とを有してなることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/60 311 ,  H05K 9/00

FI (3)：

H01L 23/28 C ,  H01L 21/60 311 S ,  H05K 9/00 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-360574   Applicant：ローム株式会社
• 半導体素子及び樹脂封止型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-169637   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-003518   Applicant：株式会社東芝
• 半導体素子の実装方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-293025   Applicant：京セラ株式会社