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J-GLOBAL ID：200903056898278884
炭化ケイ素単結晶製造装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 栗原 彰
, 川又 澄雄
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003344852
Publication number (International publication number)：2005112637
Application date： Oct. 02, 2003
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：
【課題】 高品質でかつ大型の単結晶を成長させることができる炭化ケイ素単結晶製造装置を提供する。【解決手段】 昇華させた炭化ケイ素を種結晶上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を製造するための、昇華用原料を収容する容器と、昇華用原料に対向して設けられた種結晶配置部とを備える炭化ケイ素単結晶製造装置であって、前記昇華用原料を収容する容器は、容器内部の単結晶成長可能領域近傍に、種結晶側から昇華用原料側に向けて内径が拡大する断面テーパ状に形成された側壁部を有することを特徴とする前記炭化ケイ素単結晶製造装置。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
昇華させた炭化ケイ素を種結晶上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を製造するための、昇華用原料を収容する容器と、昇華用原料に対向して設けられた種結晶配置部とを備える炭化ケイ素単結晶製造装置であって、
前記昇華用原料を収容する容器は、容器内部の単結晶成長可能領域近傍に、種結晶側から昇華用原料側に向けて内径が拡大する断面テーパ状に形成された側壁部を有することを特徴とする前記炭化ケイ素単結晶製造装置。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (7)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA18
, 4G077EG25
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA11
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (3)
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単結晶成長装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-229333
Applicant：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
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坩堝、結晶成長装置、および、結晶成長方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-020697
Applicant：株式会社シクスオン
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単結晶の成長装置および成長方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-249634
Applicant：工業技術院長, 株式会社デンソー
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